装置参数 | 指标 | 备注 | |
功能简介 | 本装置可产生符合满足 GJB151B-2013 和GJB8848-2016 要求的脉冲电场。根据效应物体积设计试验空间尺寸。可满足电子系统及元器件的 抗强电磁脉冲效应考核试验。 | ||
脉冲源 | 标称电压 | 350kV | 可根据用户要求定制， 最高电压 3MV |
运行电压 | 5kV-300kV | ||
脉冲前沿 | ＜2ns | ||
天线 |
阻抗 | 120-180Ω | 由天线形状尺寸决定， 可设计 |
高度 | 1m-6m | 可根据用户要求定制， 与脉冲源匹配 | |
辐射场 | 脉冲电场峰值 | ＞50kV/m |
满足GJB151B-2013 和 GJB8848-2016 要求 |
脉冲电场上升沿 | ＜2.5ns | ||
脉冲电场半高宽：＞ 23ns | ＞23ns | ||
控制系统 | 控制方式 | 电脑全自动控制 | |
典型波形 |
| ||
装置参数 | 指标 | 备注 | |
功能简介 | 本装置可产生符合满足 GJB151B-2013 和GJB8848-2016 要求的脉冲电场。根据效应物体积设计试验空间尺寸。可满足电子系统及元器件的 抗强电磁脉冲效应考核试验。 | ||
脉冲源 | 标称电压 | 350kV | 可根据用户要求定制， 最高电压 3MV |
运行电压 | 5kV-300kV | ||
脉冲前沿 | ＜2ns | ||
天线 |
阻抗 | 120-180Ω | 由天线形状尺寸决定， 可设计 |
高度 | 1m-6m | 可根据用户要求定制， 与脉冲源匹配 | |
辐射场 | 脉冲电场峰值 | ＞50kV/m |
满足GJB151B-2013 和 GJB8848-2016 要求 |
脉冲电场上升沿 | ＜2.5ns | ||
脉冲电场半高宽：＞ 23ns | ＞23ns | ||
控制系统 | 控制方式 | 电脑全自动控制 | |
典型波形 |
| ||
在线客服
